[发明专利]一种宽波段自供电锑薄膜光电探测器在审
申请号: | 202010059503.1 | 申请日: | 2020-01-19 |
公开(公告)号: | CN111244207A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 唐涵;陆冬林;罗斯玮;钟建新 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人: | 赵进;颜勇 |
地址: | 411105 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种宽波段自供电锑薄膜光电探测器,由锑薄膜和银电极复合而成,所述锑薄膜是通过Sb粉气相沉积于衬底制得。本发明由通过Sb粉气相沉积于衬底制得的锑薄膜和银电极复合而成,锑薄膜质量高,连续性好,且制作工艺简单,省略了锑薄膜与基底材料的再复合工序,得到的光电探测器具备自供能特性和宽波段工作特性,且当所用衬底为柔性衬底时,得到的柔性光电探测器还具备优异的机械柔韧性。 | ||
搜索关键词: | 一种 波段 供电 薄膜 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的