[发明专利]栅极沟槽填充方法有效
| 申请号： | 202010060925.0 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111244167B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陆怡;李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种栅极沟槽填充方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有沟槽，衬底上除沟槽外的其它区域形成有硬掩模层；对硬掩模层和衬底进行刻蚀，去除硬掩模层且使沟槽开口处形成弧形倒角；在衬底和沟槽表面形成栅氧化层；在栅氧化层表面形成多晶硅层，多晶硅层填充沟槽形成栅极。本申请通过在沟槽栅器件的衬底上形成硬掩模层，在栅极对应的沟槽形成后，通过对硬掩模层和衬底进行刻蚀，在去除硬掩模层的同时且使沟槽开口处形成弧形倒角，从而在沟槽和衬底上形成栅氧化层后，栅氧化层在沟槽开口处的不易造成堆积，从而提高了沟槽的开口宽度，降低了后期多晶硅填充时空洞的形成几率，提高了器件制造的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 沟槽 填充 方法 | ||
【主权项】：
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