[发明专利]具有传输晶体管的半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202010063039.3 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112185975A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 金镇浩;金定焕;成象铉;吴星来 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11529 | 分类号： | H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582;G11C16/04;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有传输晶体管的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：多个存储器单元阵列，其通过多条行线和多条位线来访问；传输晶体管，其联接到所述多条行线中的一条行线并被配置为将操作电压传送至所述多条行线中的所述一条行线；以及多条布线，其设置在传输晶体管上方的布线层中。布线层包括与传输晶体管的源极和漏极交叠的布线禁止间隔。所述多条布线中的一条或更多条布线设置在布线禁止间隔外侧。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 传输 晶体管 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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