[发明专利]一种μLED巨量转移方法有效
| 申请号： | 202010063816.4 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111128813B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 周雄图;翁雅恋;郭太良;张永爱;严群;吴朝兴;林志贤 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L27/15;H01L33/48 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 钱莉;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种µLED巨量转移方法，首先利用光学胶将蓝膜上待转移的µLED芯片转移到临时转移基板上，然后采用超高分辨率发光点阵选择照射区域，即筛选欲转移的µLED芯片位置，有被光照的µLED芯片将与临时转移基板脱离，转移到驱动背板，没有被光照过的µLED芯片将继续留在临时转移基板，等待下一次的转移，从而实现批量的、有选择性的µLED芯片转移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 巨量 转移 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
