[发明专利]一种二硫化锗材料的相变方法及其在相变存储领域应用有效
| 申请号： | 202010065707.6 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111129301B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张伟;韩成乾;王疆靖;王旭东;谭杰苓 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 王晶 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种二硫化锗材料的相变方法及其在相变存储领域应用，选择二硫化锗材料作为相变存储材料；利用沿单轴方向加载应变的方法实现二硫化锗材料两相之间的转变；其中沿着平行于层状结构的长轴方向加载单轴压应变可实现稳定相向正方相的相变，沿着y方向加载单轴拉应变可实现正方相向稳定相的相变。本发明能够通过单轴应变的方法实现相变，并借助其两相之间的电阻差异实现数据存储，这种相变方法及应用将会有效延长相变存储器的使用寿命，在该领域具有潜在的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 材料 相变 方法 及其 存储 领域 应用 | ||
【主权项】：
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