[发明专利]一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极及其制备方法有效
| 申请号： | 202010065752.1 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111111003B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李岩;张文超;赵文韬;刘宇航;柴永生;刘希宽 | 申请（专利权）人： | 烟台大学 |
| 主分类号： | A61N1/05 | 分类号： | A61N1/05;B82Y30/00;B82Y40/00;B23P15/00 |
| 代理公司： | 山东重诺律师事务所 37228 | 代理人： | 邓东坡 |
| 地址： | 264005 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明旨在降低脑深部刺激手术中套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，并减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度，结合仿生微织构对摩擦表面的减摩思想，提出了一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极及其制备方法，在套管电极圆柱表面上加工一系列直线型阵列沟槽仿生微织构，直线型阵列沟槽在套管电极圆柱表面的圆周方向上等距分布，通过固体纳秒激光系统、转速及转角可控的中空旋转夹持器和斜度可调的角度倾斜台，以激光扫描的加工形式，在套管电极外圆柱面上加工出直线型沟槽，自动高效的完成加工，并且保证沟槽的尺寸精度，制备获得的套管电极可降低套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交错 阵列 仿生 微织构 脑部 刺激 套管 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于烟台大学，未经烟台大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010065752.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
