[发明专利]一种多层掩膜层结构及其制备方法和MEMS器件有效
| 申请号： | 202010066075.5 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111232915B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 梁立兴;朱京;张琳琳;裴志强 | 申请（专利权）人： | 北京晨晶电子有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李亚南 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层掩膜层结构，包括基层，以及依次层叠设置于所述基层上的至少三层掩膜层，其中第n+1掩膜层的厚度为第n掩膜层的厚度的1.2‑3倍。本发明还公开了上述多层掩膜层结构的制备方法，首先对基层进行清洗工艺和干燥工艺；然后在基层上镀覆三层或以上掩膜层，每次镀覆完成用特定的退火参数进行退火。本发明还公开了由上述多层掩膜层结构制得的MEMS器件。本发明通过多层掩膜层的多膜层间相对厚度及制备方法中各工艺过程参数设计着手，在保证多层掩膜层的抗腐蚀能力，避免发生起皮、脱层或粘附不牢固现象的同时，可以有效避免后续光刻‑刻蚀的图形定义释放刻蚀过程中极其容易出现不同图形层的串层刻蚀与侧蚀均匀性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 掩膜层 结构 及其 制备 方法 mems 器件 | ||
【主权项】：
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