[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202010066961.8 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112447232A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 武木田秀人 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/12;G11C16/24;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够抑制错误位的产生，且能够缩短写入动作的总时间的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含第1及第2存储单元、以及控制器。控制器在编程动作中，在第1时刻(t0)对选择栅极线(SGD)施加第1电压(VSGDH)，在第2时刻(t1)对选择栅极线(SGD)施加第2电压(VSS)，在第3时刻(t2)对字线(WL)施加第3电压(VPASS)，在第5时刻(t3)对字线(WLsel)施加第5电压(VPGM)。在选择了第1存储单元的编程动作中，第2时刻(t1)与第3时刻(t2)之间的时间为第1时间(TM1)。在选择了第2存储单元的编程动作中，第2时刻(t1)与第3时刻(t2)之间的时间为与第1时间不同的第2时间(TM2)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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