[发明专利]半导体存储装置

摘要

实施方式提供一种能够改善良率的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括衬底、第1至第3导电体层、第1半导体层、及第1绝缘体层。衬底SUB包括第1区域MR、第2区域PR、及第3区域BR。多个第1导电体层23于第1区域内相互分离地设于衬底的上方。多个第2导电体层25相互分离地设于最上层的第1导电体层的上方。第1半导体层MP贯通第1及第2导电体层而设置。第3导电体层62于第2区域内设于衬底的上方。第1绝缘体层包括在第2区域内设于第3导电体层的上方且比最上层的第1导电体层更靠上层的第1部分59U，及在第3区域内与衬底的表面接触、且与第1部分连续设置的第2部分59S。第2部分划分第1区域及第2区域。