[发明专利]一种PN结周围抗电磁脉冲保护环及其制造方法在审
| 申请号： | 202010067670.0 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111261614A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 鲁红玲;王健;杨晓文;侯斌;李照 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李红霖 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种PN结周围抗电磁脉冲保护环及其制造方法，属于微电子制作工艺领域。一种PN结周围抗电磁脉冲保护环的制造方法，包括以下步骤：1)对硅材料进行氧化，按照设计版图进行保护环光刻；2)在光刻区域注入硼元素进行掺杂；硼元素的掺杂浓度为1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 pn 周围 电磁 脉冲 保护环 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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