[发明专利]三维存储器及其制备方法、电子设备有效

专利信息
申请号: 202010068208.2 申请日: 2020-01-20
公开(公告)号: CN111244046B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 穆钰平 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L27/11521;H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11573;H01L27/11578
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强
地址: 430074 湖北省武汉*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请提供了三维存储器及其制备方法、电子设备。其中,三维存储器包括基体与电介质层。基体具有第一区与第二区,第一区连接第二区。电介质层设于基体的一侧,电介质层包括连接件与散热件,连接件连接基体。散热件包括第一散热部与第二散热部,第一散热部连接至少部分第二散热部,且第一散热部相较于第二散热部靠近基体设置。通过使第一散热部连接至少部分第二散热部,这样第二散热部在进行键合时会吸收大量热量,而当部分第二散热部吸收的热量过大时,可通过第一散热部将热量传导给其余的第二散热部,从而使第二散热部的热量分布均匀。本申请提供的三维存储器可有效防止在键合时局部热量过于集中,降低三维存储器的稳定性与使用寿命。
搜索关键词: 三维 存储器 及其 制备 方法 电子设备
【主权项】:
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