[发明专利]半导体发光二极管在审
| 申请号： | 202010068216.7 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111081833A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吴永胜;张帆 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光二极管，包括：基板；设于所述基板上的缓冲层；设于所述缓冲层上的n型导电性半导体层；设于所述n型导电性半导体层上的活性层；设于所述活性层上的p型导电性半导体层；与所述n型导电性半导体层电气连接的n型电极；以及与所述p型导电性半导体层电气连接的p型电极；所述活性层具有可调节铟含量的量子阱层与量子势垒层交替层叠1次以上的结构。该半导体发光二极管能够提高光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
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