[发明专利]发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202010070420.2 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111081836A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吴永胜;张帆 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：基板；在所述基板上形成的n型半导体层；在所述n型半导体层的部分区域上形成的活性层；在所述活性层上形成的，用于防止电子溢出的电子阻挡层；在所述电子阻挡层上形成的空穴注入层；在所述空穴注入层上形成的p型半导体层；与所述n型半导体层电性连接的n型电极；以及与所述p型半导体层电性连接的p型电极；所述空穴注入层具有越靠近所述p型半导体层越小的带隙能。该发光二极管及其制造方法能够提高空穴注入效率，增大发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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