[发明专利]一种低温制备多晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途

摘要

本发明涉及一种低温制备多晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途。所述方法包括：采用高密度等离子体增强化学气相沉积设备制备多晶硅膜材料，气相沉积的温度≤300℃，所述高密度等离子体增强化学气相沉积设备的功率≥500W。本发明所述多晶硅膜材料的可以在300℃以下制备得到，且具有良好的光学性能，在633nm波长对应的折射率约为3.8、消光系数约为0.02，在四英寸基底范围内薄膜均匀性好；其次，本发明所述方法可以在不同材料界面制备具有良好均匀性的多晶硅膜材料；最后，本发明提供的低温多晶硅薄膜材料制备工艺简单易行，具有极大的应用潜力。