[发明专利]一种接触凹槽形成方法及半导体

摘要

本申请实施例公开了一种接触凹槽形成的方法及半导体，所述方法包括：提供一半成品的半导体，所述半导体包括对应于不同区域的采用第一材料的第一结构、采用第二材料的第二结构，以及至少顶部采用所述第二材料的第三结构；通过同一第一刻蚀过程，利用所述第一材料与所述第二材料的不同刻蚀速率，对所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构进行刻蚀，以形成特定深度的凹槽；其中，所述第一材料的刻蚀速率大于所述第二材料的刻蚀速率，使得采用所述第二材料的所述第三结构的顶部作为刻蚀阻挡层。