[发明专利]一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管有效
| 申请号： | 202010072965.7 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111261722B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;朱桂闯;李少红;杨兰兰;祝靖;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，氧化层，N型漂移区上设有P型体区、第一场氧、第二场氧、第三场氧、N型缓冲区、P型轻掺杂区和N型轻掺杂区，在P型体区内设有作为阳极的P型重掺杂区，在N型缓冲区内设有作为阴极的第二N型重掺杂区，在N型轻掺杂区内设有第一N型重掺杂区，在氧化层内设有第一多晶硅和电容，第一多晶硅位于型轻掺杂区的上方且第一多晶硅与P型轻掺杂区之间被氧化层隔离，所述电容由作为一个极板的第一金属铝和作为另一个极板的第二金属铝组成，第一金属铝与第一N型重掺杂区连接，第一多晶硅，第二金属铝和P型重掺杂区连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 电容 反向 恢复 电荷 横向 二极管 | ||
【主权项】：
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