[发明专利]基于横磁模的硅基窄线宽高功率外腔激光器在审

专利信息
申请号: 202010073025.X 申请日: 2020-01-22
公开(公告)号: CN111244758A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 周林杰;赵瑞玲;郭宇耀;陆梁军;庞拂飞;陈建平 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01S5/14 分类号: H01S5/14;H01S5/065
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种基于横磁模的硅基窄线宽高功率外腔激光器,包括反射型半导体光放大器、光斑尺寸转换器、移相器、第一微环滤波器、第二微环滤波器、萨格纳克反射镜和模式转换器,本发明通过两个微环滤波器的游标效应构成滤波结构,可得到宽调谐范围窄线宽激光。利用横磁模在半导体光放大器中线宽增强因子小,在硅波导中传输损耗小,功率上限高的优势,可进一步压缩激光器线宽,提高输出激光功率,同时基于横磁模的硅光无源器件也具有更大的工艺容差。在激光出射端用模式转换器将横磁模转换为横电模,能与其他基于横电模的光信号处理器件相集成。
搜索关键词: 基于 横磁模 硅基窄线宽高 功率 激光器
【主权项】:
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