[发明专利]槽式湿法刻蚀装置在审
| 申请号： | 202010073624.1 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111276431A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 丁齐齐 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;高德志 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种槽式湿法刻蚀装置包括：工艺槽，至少一个酸液供应罐，连接管道和支撑部件，其中，所述工艺槽的位置低于酸液供应罐的位置，所述酸液供应罐通过连接管道与所述工艺槽连通，所述连接管道至少包括连接的横向管道和纵向管道，所述横向管道的入口端与所述酸液供应罐连接，所述纵向管道的出口端与所述工艺槽连接，所述酸液供应罐用于存储酸液以及将存储的酸液通过连接管道供应到工艺槽中，所述工艺槽用于将所述酸液供应罐供应的酸液稀释或者将供应的多种酸液混合，以进行刻蚀工艺；所述支撑部件与所述横向管道接触，用于使得所述横向管道保持水平。本发明槽式湿法刻蚀装置保证每次换酸后酸的浓度能保持稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
