[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法

摘要

提供降低RH使用量且具有高Br、HcJ的R－T－B系烧结磁体的制造方法。R－T－B系烧结磁体的制造方法包括准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序、准备RL1－RH－M1系合金的工序、准备RL2－M2系合金的工序、第一扩散工序和第二扩散工序，第一扩散工序中RL1－RH－M1系合金的附着量为4mass％以上15mass％以下，第二扩散工序中RL2－M2系合金的附着量为1mass％以上15mass％以下，R－T－B系烧结磁体原材料中，R的含量为27mass％以上35mass％以下，[T]/[B]的摩尔比超过14.0且为15.0以下，RL1－RH－M1合金中，RL1含量为60mass％以上97mass％以下，RH含量为1mass％以上8mass％以下，M1含量为2mass％以上39mass％以下，RL2－M2系合金中，RL2含量为60mass％以上97mass％以下，M2含量为3mass％以上40mass％以下。