[发明专利]一种高纯度、高致密度、大尺寸碳化硼陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 202010077251.5 | 申请日： | 2020-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN111233479B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 刘丕显;黄大远 | 申请（专利权）人： | 大连正兴磨料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/563 | 分类号： | C04B35/563;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102 | 代理人： | 杨植 |
| 地址： | 116600 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种高纯度、高致密度、大尺寸碳化硼陶瓷的制备方法。本发明在保持高纯度的前提下将粉的粒度降低到D100值·0.6μm，在不添加任何烧结助剂的情况下，所需的烧结压力降低，得到的陶瓷性能稳定、均匀；通过采用碳‑碳纤维复合模具和石墨模具配合使用的方法，提高模具耐压强度，使制备出的单件碳化硼陶瓷尺寸超过·450，同时保证纯度·99.99％，致密度超过理论密度的99.9％。使用本发明方法制备的碳化硼陶瓷同时具备大尺寸、低密度、高硬度、高抗弯强度和高断裂韧性的特点，可应用于航空器防弹装甲、溅射靶材等对陶瓷有极特殊要求的领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 致密 尺寸 碳化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
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