[发明专利]LED制备工艺有效
| 申请号： | 202010077299.6 | 申请日： | 2020-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN111244232B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 孙蕾蕾 | 申请（专利权）人： | 江西通利晟电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 杭州知管通专利代理事务所(普通合伙) 33288 | 代理人： | 黄华 |
| 地址： | 341000 江西省赣州市赣*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED制备工艺，包括提供一衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层、第一半导体层、过渡层、发光层、第二半导体层；形成所述第一半导体层过程中反应腔体压力保持为第一压力，形成所述发光层过程中反应腔体压力保持为第二压力，所述第二压力小于所述第一压力，形成所述过渡层过程中反应腔体起始压力等于所述第一压力，终止压力等于所述第二压力。本发明通过在第一半导体层和发光层之间引入过渡层，利用该阶段压力变化过程中保持连续生长，通过过渡层减少界面应力，可以实现第一半导体层在高压条件下生长，提高生长速率，由于形成过渡层过程中压力逐步降低，第一半导体层表面张应力逐步减小，降低了该过程中裂片的风险。 | ||
| 搜索关键词： | led 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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