[发明专利]一种伪单光子源及制备方法有效
| 申请号： | 202010077638.0 | 申请日： | 2020-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN111261761B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张巍;余竞航;黄翊东;冯雪;刘仿;崔开宇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/36;H01L33/44;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 程琛 |
| 地址： | 100084 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种伪单光子源及制备方法，包括：依次叠置的背电极层、衬底层和伪单光子源阵列；伪单光子源阵列包括依次叠置的第一绝缘层、金属遮光层、第二绝缘层和电极层；其中，第一绝缘层设置有第一通光孔，金属遮光层设置有第二通光孔，第二绝缘层设置有第三通光孔，电极层设置有线栅；第一通光孔、第二通光孔、第三通光孔和线栅为同心圆，且第二通光孔、第三通光孔和线栅的尺寸依次减小。利用半导体有源层发光，其上制备遮光层遮挡杂光，实现光的线偏振输出。该结构可实现在芯片上的集成，形成不同偏振方向的伪单光子源阵列，通过控制阵列中各光源的输入电流，可以实现各种线偏振单光子的独立输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光子 制备 方法 | ||
【主权项】：
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