[发明专利]太阳能电池

摘要

本发明涉及钝化接触型太阳能电池及其制造方法。该方法包括以下步骤：(i)制备基片，该基片包含：第一半导体层，位于第一半导体层上的隧道氧化物层，位于隧道氧化物层上的第二半导体层，位于第二半导体层上的第一绝缘层，以及在隧道氧化物层另一侧位于第一半导体层上的第三半导体层，其中第二半导体层的厚度为0.2‑400nm，其中第一绝缘层包含一个或多个开口；(ii)在第一绝缘层的开口中施加导电糊料，所述导电糊料包含：(a)包含银(Ag)和钯(Pd)的导电粉末，(b)玻璃料，以及(c)有机载剂；以及(iii)烧制所施加的导电糊料，以形成电极。玻璃料可包含30‑90重量％的PbO和/或Bi2O3、1‑50重量％的B2O3、0.1‑30重量％的SiO2和0.1‑20重量％的Al2O3。