[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
申请号: | 202010078449.5 | 申请日: | 2020-02-03 |
公开(公告)号: | CN111244123A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 张坤;周文犀;夏志良 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 陈敏 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体结构及其制备方法,包括如下步骤:提供图像处理晶圆,图像处理晶圆正面形成有第一引出焊盘;提供存储器晶圆,存储器晶圆正面形成有第二引出焊盘;将存储器晶圆倒装键合于图像处理晶圆正面,第二引出焊盘与第一引出焊盘电连接;于存储器晶圆背面形成第一连接焊盘;提供图像传感器晶圆,图像传感器晶圆正面形成有第三引出焊盘;将图像传感器晶圆倒装键合于存储器晶圆背面,且第三引出焊盘与第一连接焊盘电连接述图像传感器晶圆背面形成第二连接焊盘。本发明可以提高半导体结构的计算及反馈的输入输出速度,减少半导体结构的电阻电容延迟,提高单位面积内不同功能晶圆的集成度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的