[发明专利]基于BEOL工艺的集成电路结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010078619.X | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN113206035A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李峯旻 | 申请（专利权）人： | 广东汉岂工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 528300 广东省佛山市顺德区大良街道办事处德和居*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于BEOL工艺的集成电路结构及其形成方法；集成电路结构包括LOW‑K介电层(100)、覆盖在LOW‑K介电层(100)底面的第一覆盖层(200)以及布置在第一覆盖层(200)底面的多条铜线(300)；集成电路结构上开设有依次贯穿LOW‑K介电层(100)和第一覆盖层(200)并与铜线(300)连通的连通孔(400)；集成电路结构还包括钽层(700)以及在连通孔(400)内壁上布设的ALD阻挡层(500)；钽层(700)分别覆盖在ALD阻挡层(500)以及铜线(300)上与连通孔(400)连通的表面；钽层(700)围成容纳空间；集成电路结构还包括填充在容纳空间中的铜连接部(800)以及在LOW‑K介电层(100)顶面形成的第二覆盖层(900)。本发明的集成电路结构及其形成方法设计新颖，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 beol 工艺 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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