[发明专利]制造集成电路器件的方法在审
| 申请号： | 202010079164.3 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111834290A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 权渡玹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 | 代理人： | 吴焕芳;杨勇 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供制造集成电路器件的方法。制造集成电路器件的方法包括：在半导体基底上依序形成器件层、布线绝缘层及硬掩模层。所述方法包括分别使用具有第一开口的第一掩模层及具有第二开口的第二掩模层作为刻蚀掩模来依序移除所述硬掩模层的第一区及第二区。所述方法包括通过使用所述硬掩模层的一部分作为刻蚀掩模移除所述布线绝缘层的一部分来形成第一布线凹槽及第二布线凹槽，所述第一布线凹槽穿过所述布线绝缘层，所述第二布线凹槽具有比所述第一布线凹槽的深度小的深度。此外，所述方法包括形成处于所述第一布线凹槽及所述第二布线凹槽中的布线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 集成电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
