[发明专利]一种体声波谐振器的顶电极结构及制作工艺在审
申请号: | 202010080951.X | 申请日: | 2020-02-05 |
公开(公告)号: | CN111211757A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 李林萍;盛荆浩;江舟 | 申请(专利权)人: | 杭州见闻录科技有限公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H3/02 |
代理公司: | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 | 代理人: | 陈远洋 |
地址: | 310019 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种体声波谐振器的顶电极结构及制作工艺,制备设置有空腔的衬底,在衬底上依次制作覆盖空腔的底电极层和压电层;在压电层上制作介质隔离层,使介质隔离层覆盖于压电层顶部的部分上表面;以及在介质隔离层和压电层上制作顶电极层,顶电极层覆盖在介质隔离层上,并且至少有一边延伸到空腔在压电层上的投影区域的边缘。介质隔离层作为增加器件层应力变化时的缓冲,增强机械可靠性,还可以减少射频信号的寄生、反射横波。质量负载层能够在顶电极层的边缘形成声阻抗的突变,增大并联谐振器阻抗,可以大大削弱寄生谐振,减少伪谐振,达到提高Q值的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 声波 谐振器 电极 结构 制作 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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