[发明专利]显示装置及半导体器件在审
申请号: | 202010081137.X | 申请日: | 2020-02-05 |
公开(公告)号: | CN111584499A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 神内纪秀;渡壁创;花田明纮;小野寺凉;铃村功 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及显示装置及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置,其特征在于,具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板,上述第一TFT中,覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112),第一漏电极(110)介由上述第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于上述氧化物半导体,第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于上述氧化物半导体,覆盖上述第一漏电极及上述第一源电极而形成第二绝缘膜(115),漏极布线(120)介由上述第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于上述第一漏电极,源极布线(122)介由上述第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于上述第一源电极。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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