[发明专利]影像感测器结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010082250.X | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112635497A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李明祥;李柏叡;姚裕源 | 申请（专利权）人： | 晶相光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学园*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种影像感测器结构及其形成方法，影像感测器结构包含：基底，具有第一导电型态；第一井区和第二井区，设置于基底中且彼此分开；隔离区，设置于第一井区中；栅极，设置于基底上且于第一井区和第二井区之间；以及嵌入式光二极管，设置于基底中且于第一井区和第二井区之间，其中嵌入式二极管包含：第一掺杂区，设置于基底中且具有第一掺杂浓度及第一导电型态；以及第二掺杂区，设置于第一掺杂区下且具有第二掺杂浓度及与第一导电型态相反的第二导电型态，其中第一掺杂浓度和第二掺杂浓度中至少一者为不均匀且第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 影像 感测器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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