[发明专利]一种存储器件及其制作方法、存储器及电子设备在审
| 申请号： | 202010082910.4 | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111341909A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;刘卫兵;项金娟;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 周娟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器件及其制作方法、存储器及电子设备，涉及非易失性存储器件技术领域，以便于存储器件与CMOS后段工艺兼容，提高存储器件性能。所述存储器件包括形成在衬底上的阻变元件。阻变元件包括底电极，顶电极，以及位于底电极和顶电极之间的阻变层，底电极、阻变层和顶电极所含有的材料均为钽材料。所述存储器件的制作方法用于制作所述存储器件。本发明提供的存储器件用于电子设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 器件 及其 制作方法 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
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