[发明专利]远程氮等离子体掺杂过渡金属硫族化合物的方法在审
| 申请号： | 202010083046.X | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111312579A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 孙正宗;轩宁宁;包文中 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C8/36;C23C8/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明属于光电和电子器件材料技术领域，具体为远程氮等离子体掺杂过渡金属硫族化合物的方法。本发明方法包括：制备单层或少层的过渡金属硫族化合物；将过渡金属硫族化合物样品放入远程氮等离子体装置；体系采用高真空系统，压力为10 |
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| 搜索关键词： | 远程 等离子体 掺杂 过渡 金属 化合物 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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