[发明专利]非易失性存储器件及其擦除方法在审
| 申请号： | 202010083850.8 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN111724852A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 朴相元;沈元补;任琫淳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/16;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王凯霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了非易失性存储器件及其擦除方法。所述非易失性存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个单元串，所述多个单元串中的每个单元串包括栅极感应漏极泄漏(GIDL)晶体管和存储单元组；以及控制逻辑，所述控制逻辑用于将电压施加到所述多个单元串中的每个单元串。所述控制逻辑执行：第一擦除操作，所述第一擦除操作对所述多个单元串中的每个单元串的所述存储单元组进行擦除，第一验证操作，所述第一验证操作检测所述第一擦除操作对所述多个单元串中的每个单元串的所述存储单元组进行擦除的第一擦除结果，以及编程操作，所述编程操作对所述多个单元串中的一些单元串的所述GIDL晶体管进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 擦除 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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