[发明专利]一种LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202010088656.9 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111180563A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘锐森;霍丽艳;吴洪浩;刘兆 | 申请（专利权）人： | 江西乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张静 |
| 地址： | 330103 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底、缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱发光层、空穴注入层，其中，空穴注入层包括层叠的AlInGaN层、含镁材料层和P型AlInGaN层，其中，含镁材料层中镁的电离能较低，激活效率较高，可以对AlInGaN层和P型AlInGaN层进行镁浓度的补充，提高AlInGaN层和P型AlInGaN层中镁的掺杂浓度，从而有利于提高整个空穴注入层的空穴浓度，便于更多的空穴向多量子阱发光层注入，以使得空穴注入层在提高多量子阱发光层中的空穴浓度的基础上，不会吸收过多的多量子阱发光层中发出的光线，提高LED芯片的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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