[发明专利]一种异质片层结构中/高熵合金箔材的制备方法有效
| 申请号： | 202010089917.9 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111360074B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 喻海良;吴雨泽;崔晓辉 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | B21B1/40 | 分类号： | B21B1/40 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 段俊涛 |
| 地址： | 410083 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明一种异质片层结构中/高熵合金箔材的制备方法，采用中/高熵合金为原材料并将其加工成薄片，先进行均匀化处理以减少原料中的偏析行为；然后将其均匀冷却到液氮温度，开启异步轧机进行深冷异步轧制，将轧制的材料放再次冷却到液氮温度，重复直到总压下率达到80～95％得到中/高熵合金箔材，利用铜箔包覆所得箔材，放入加热炉中进行退火，之后取出进行空冷，即得异质片层结构中/高熵合金箔材，该箔材具有优异的强度以及韧性，并实现了带材轻量化制备，该箔材在高温合金箔材、航天等行业具有工业应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质片层 结构 高熵合 金箔 制备 方法 | ||
【主权项】：
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