[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010090424.7 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111463279A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 长尾胜久;安部英俊 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/872;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/47 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离（A）为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离（B）为40μm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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