[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质、程序有效
| 申请号： | 202010091897.9 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111739778B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 吉野晃生;油谷幸则;八幡橘 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/316;H01L21/318;H10B69/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;刘伟志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质、程序，对于纵横尺寸比高的槽也能够均匀地处理槽的内部。基板处理装置具有：处理室，其对基板进行处理；基板载置部，其在处理室中支承基板；气体供给部，其向处理室供给气体；高频电力供给部，其供给规定频率的高频电力；第一谐振线圈，其以覆盖处理室的方式卷绕，并且由在供给了高频电力时在处理室中形成等离子体的第一导体构成；第二谐振线圈，其以覆盖处理室的方式卷绕，并且由在供给了高频电力时在处理室中形成等离子体的第二导体构成；和控制部，其以向第一谐振线圈供给电力的电力供给期间和向第二谐振线圈供给电力的电力供给期间不重叠的方式，控制高频电力供给部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体器件 制造 方法 记录 介质 程序 | ||
【主权项】：
暂无信息
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