[发明专利]一种消除电压折回现象的RC-LIGBT器件有效
| 申请号： | 202010092691.8 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111261698B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞丰;易波;蔺佳;赵青;黄东;孔谋夫 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L27/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，提供一种基于绝缘体上硅技术的消除电压折回现象的RC‑LIGBT器件，在传统SSA‑LIGBT器件的基础上，在集电极一侧引入一个栅源短接的N沟道MOEFET；当器件工作在正向状态时，将一直工作在IGBT模式下，完全消除了由MOS模式过渡到IGBT模式而产生的电压折回现象；当器件工作在反向状态时，随着发射极电压升高，栅漏短接的NMOS开启，器件工作于反向并联的IGBT模式，实现器件的反向导通特性；综上，本发明RC‑LIGBT器件既能完全消除电压折回现象，又兼具高可集成度、低导通压降、小器件尺寸、能够快速关断等优点；同时，器件具有更高的电流密度，降低了器件的导通压降，改善了导通压降和关断损耗之间的折中关系。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 电压 折回 现象 rc ligbt 器件 | ||
【主权项】：
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