[发明专利]一种硅碳负极及其制备方法有效
| 申请号： | 202010092820.3 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111276682B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 陈坚;孙尚琪;吴有春;杨子睿 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 杨晓莉 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅碳负极的制备方法，使用等离子体平台，以含硅材料作为硅源，以含氮气氛为气源，对碳材料进行氮元素掺杂并沉积硅基纳米颗粒，得到所述的硅碳负极。本发明所述的硅碳负极的制备方法采用多孔碳材料能够增加材料导电性，提升材料倍率性能及稳定性，空隙能够抑制硅的粉化及体积膨胀；硅基纳米颗粒在反应过程中通过多部反应减少硅直接参与反应，提升材料循环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 负极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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