[发明专利]半导体结构、半导体芯片及半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202010094197.5 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111863819A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 林瑄智 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构、半导体芯片及半导体结构的制造方法。该半导体结构包括一基底、一主要元件、多个单次性可编程(one‑time‑programmable，OTP)元件以及一去耦电容器阵列。该基底包括一第一区和一第二区。该主要元件在该第一区中。该多个OTP元件和该去耦电容器阵列在该第二区中。该去耦电容器阵列覆盖该多个OTP元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
