[发明专利]一种薄膜体声波谐振器的腔体结构及制造工艺有效

专利信息
申请号: 202010094463.4 申请日: 2020-02-15
公开(公告)号: CN111294010B 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: 李林萍;盛荆浩;江舟 申请(专利权)人: 见闻录(浙江)半导体有限公司
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H3/02
代理公司: 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 代理人: 陈远洋
地址: 313000 浙江省湖州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种薄膜体声波谐振器的腔体结构及制造工艺,通过在布置有牺牲材料层的衬底上布设支撑层以使得支撑层至少覆盖在牺牲材料层的外围的部分上表面,并且支撑层具有开口区域以使得牺牲材料层上表面的剩余部分暴露在外;利用牺牲材料填平支撑层的开口区域;在支撑层和牺牲材料上制作底电极层,底电极层架设在支撑层上;在底电极层上制作压电层和顶电极层;去除全部牺牲材料形成腔体结构。因此大大抑制了薄膜体声波谐振器的寄生电容,可以有效提高器件的机械稳定性,减小膜层的应力变化对器件的谐振性能的影响,可以有效提高谐振器的谐振性能。
搜索关键词: 一种 薄膜 声波 谐振器 结构 制造 工艺
【主权项】:
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