[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法在审
| 申请号： | 202010094897.4 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111575796A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 森勇介;今西正幸;吉村政志;村上航介;小松真介;多田昌浩;冈山芳央 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人大阪大学;松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造高品质的III族氮化物结晶的方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：晶种准备工序，在基板上准备多个点状的III族氮化物作为用于生长III族氮化物结晶的多个晶种；以及结晶生长工序，在包含氮的气氛下，使上述晶种的表面接触包含选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素以及碱金属的熔液，由此使III族元素与氮在熔液中发生反应而使III族氮化物结晶生长，结晶生长工序包括：成核工序，由多个晶种形成晶核；棱锥生长工序，使棱锥形状的第一III族氮化物结晶由多个晶核生长；以及横向生长工序，使第二III族氮化物结晶以填埋多个棱锥形状的第一III族氮化物结晶的间隙而使表面平坦的方式生长。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 结晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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