[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置在审
| 申请号： | 202010095523.4 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111584364A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 仓知俊介;驹谷务 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/768;H01L29/778;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 熊传芳;苏卉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法及半导体装置。该半导体装置的制造方法包括如下工序：在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导体层上形成源极电极及漏极电极；在氮化物半导体层上的源极电极与漏极电极之间形成具有包括Ni层及Ni层上的Au层的层叠构造的栅极电极，在与源极电极隔开间隔而相邻的区域形成具有与栅极电极相同的层叠构造的第一金属膜；形成与源极电极和第一金属膜接触的第二金属膜；形成从SiC基板的背面到达第一金属膜的孔；及在孔内形成从背面到达第一金属膜的金属通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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