[发明专利]金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法在审
| 申请号： | 202010096805.6 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN111286333A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 大和田拓央;清水寿和 | 申请（专利权）人： | 关东化学株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;C09K13/04;C09K13/06;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 马思敏;马莉华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供用于对作为半导体元件和平板显示器(FPD)等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行蚀刻的蚀刻液组合物，其中，可控制为具实用性的蚀刻速度，且Zn的溶解性高，使用中的组成变化少，因此可使蚀刻液的使用寿命长。可对作为半导体元件和FPD等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行微细加工，包含至少1种除氢卤酸和高卤酸等以外的某一解离阶段的25℃的酸解离常数pKa |
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| 搜索关键词： | 金属 氧化物 蚀刻 组合 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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