[发明专利]按需填充的安瓿再填充在审
| 申请号： | 202010098763.X | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN111508870A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 阮途安;伊什沃·兰加纳坦;尚卡尔·斯瓦米纳坦;阿德里安·拉沃伊;克洛伊·巴尔达赛罗尼;拉梅什·钱德拉塞卡拉;弗兰克·L·帕斯夸里;詹妮弗·L·彼得拉利亚 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及按需填充的安瓿再填充，公开了使用按需填充安瓿的方法和设备。所述按需填充安瓿可以在执行其它沉积工艺的同时用前体再填充安瓿。所述按需填充可以保持所述安瓿内的前体液位在较恒定的液位。可以计算所述液位以得到最佳头部体积。所述按需填充也可以保持所述前体在接近最佳前体温度的温度的温度。所述按需填充可以在由于用所述前体填充所述安瓿引起的所述前体的搅动最小地影响所述衬底沉积的所述沉积工艺的部分期间进行。通过使用按需填充可以提高衬底生产量。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 安瓿 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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