[发明专利]栅极电压控制有效

专利信息
申请号: 202010100661.7 申请日: 2020-02-18
公开(公告)号: CN111211764B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 肯尼思·钟·因·夸克;赖苏明;李学初;詹福春;卿健 申请(专利权)人: 恩智浦有限公司
主分类号: H03K17/082 分类号: H03K17/082
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 荷兰埃因霍温高科*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开的方面涉及一种用于控制栅极电压的电路系统。如可以根据一个或多个实施例实施的,对具有浮栅和目标工作电压的场效应晶体管(FET)的电压水平进行控制,当高于所述目标工作电压时,所述FET将被过度充电,并且当大约为所述目标工作电压时,所述FET具有标称工作范围。脉冲电路系统被配置成以脉冲形式向所述浮栅施加能量,在操作中,相对于所述栅极的目标工作电压将所施加的能量脉冲处理为低,并且然后通过调整连续脉冲改变所述所施加的能量,直到所述栅极达到所述目标工作电压为止。反馈电路对所述浮栅的电压水平进行采样并使所述脉冲电路系统能够向所述浮栅施加脉冲能量,以基于所述标称工作范围内的所述目标工作电压指导所述FET的操作。
搜索关键词: 栅极 电压 控制
【主权项】:
暂无信息
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