[发明专利]ALD硅片上下料装置在审
申请号: | 202010101225.1 | 申请日: | 2020-02-19 |
公开(公告)号: | CN111206237A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 熊波 | 申请(专利权)人: | 无锡市江松科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 朱晓林 |
地址: | 214000 江苏省无锡市无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了ALD硅片上下料装置,涉及硅片搬运技术领域。包括至少四个花篮上下料运输线,每两个花篮上下料运输线对应一个舟输送平台,舟输送平台和花篮上下料运输线之间通过硅片夹爪搬运硅片,舟输送平台与水平面存有夹角,夹角介于10°与35°之间,ALD硅片上下料装置还包括舟缓存平台和搬舟机械手,搬舟机械手被配置于从ALD主机内搬出处理过的花篮和/或将未处理的花篮搬入ALD主机内,舟输送平台对接舟缓存平台。通过具有倾斜角度的舟输送平台,使得小舟在舟输送平台上的时候小舟能够倾斜一定的角度,从而使得硅片在小舟内能够通过自身重力统一倾斜于小舟的一侧,进而使得硅片能够更容易的被硅片夹爪进行获取。 | ||
搜索关键词: | ald 硅片 上下 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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