[发明专利]一种碳化硅器件原料的制造方法及使用该原料制备的碳化硅器件在审
| 申请号： | 202010101342.8 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111276395A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 宋召海;陈丹丹 | 申请（专利权）人： | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/04;H01L21/337;H01L29/45;H01L29/808 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种碳化硅器件原料的制造方法及使用该原料制备的碳化硅器件。其中，碳化硅器件原料的制造方法为首先在n型SiC表面形成Ni层，第二层在Ni层表面形成NiO层，最后在非氧化环境(真空环境)中热处理。在热处理后形成Ni‑Si层。在热处理后，在HCl酸性环境中腐蚀掉NiO，然后在Ni‑Si层表面沉积铝层。因此在Ni‑Si层表面形成了Ni‑Al层。该方法的优点是低的接触电阻粘附在电极层和线性传输层之间，线性传输层在形成电极层中几乎不可分隔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 器件 原料 制造 方法 使用 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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