[发明专利]铟锆氧化物靶材及其制法及铟锆氧化物薄膜在审
| 申请号： | 202010101489.7 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN113201714A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 柯伯贤;谢承谚;简毓苍;刘砚鸣 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;C04B35/01;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;何晶 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明提供一种铟锆氧化物靶材及其制法及铟锆氧化物薄膜，其包含铟、锆及氧，其中锆原子数相对于铟及锆的原子总数的比值大于或等于0.18且小于或等于0.40，且该铟锆氧化物靶材的平均体电阻率大于或等于8×10 |
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| 搜索关键词： | 氧化物 及其 制法 薄膜 | ||
【主权项】：
暂无信息
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