[发明专利]一种MoS2有效

专利信息
申请号: 202010101665.7 申请日: 2020-02-19
公开(公告)号: CN111349907B 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 曹阳;宋维英 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C23C16/30 分类号: C23C16/30;C23C16/44;C25D11/26
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 张松亭;游学明
地址: 361000 *** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种MoS2/WS2垂直异质结的制备方法,以WO3和硫粉作为前驱体,在SiO2/Si基底上制备大尺寸高质量的单层二硫化钨,利用Mo箔的电化学阳极氧化法制备多价态氧化钼箔(MoOx),在低压低温条件下,以氧化钼箔和硫粉为前驱体在二硫化钨表面生长二硫化钼,从而制备MoS2/WS2垂直异质结,这种方法可控性与可重复性高,对其他过渡金属硫化物异质结的制备具有重要的意义。
搜索关键词: 一种 mos base sub
【主权项】:
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