[发明专利]光电转换单元及图像传感器有效
申请号: | 202010101813.5 | 申请日: | 2020-02-19 |
公开(公告)号: | CN111276502B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 雷述宇 | 申请(专利权)人: | 宁波飞芯电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 崔熠 |
地址: | 315000 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光电转换单元及图像传感器,涉及光电转换技术领域。该光电转换单元包括衬底、形成于衬底中的第一掺杂区和输出端,第一掺杂区和输出端之间形成导电沟道,衬底上形成有第一钳位层,第一钳位层与第一掺杂区相连接,还包括第一传输栅,第一传输栅至少部分与第一钳位层相连接,第一钳位层位于第一传输栅与第一掺杂区之间,衬底的掺杂材料类型与第一掺杂区的掺杂材料类型相同,且与第一钳位层的掺杂材料类型不同。该图像传感器包括上述的光电转换单元。该光电转换单元能够提高光生电子的转移速度。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 单元 图像传感器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的